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1 氧化镁粉的技术参数
畅销品
镁粉   温度传感器专用

氧化镁粉 - 温度传感器,热电偶, RTD 专用

在制作热电阻温度传感器时,一般需要用到填充材料,一方面,有助于温度的传递,另一方面可以提升传感器的绝缘性能,再次有助于提高温度传感器的抗震动,抗冲击的能力。一般地,填充材料一般都选择氧化镁,大小一般用70-150目,氧化镁耐温度可达熔点为2852,沸点3600。也可以采用石英砂,大约也是150目,石英砂耐温度可达熔点1713℃,一般PT100不会超1000度,所以温度是可以,但导热性更好。热电阻温度传感器一般都用氧化镁,石英粉也是可以的,但目数要选择大些的。石英的导热更快,所以温度反映更灵敏,膨胀系数更小,所以作出的热电阻温度传感器质量更好。

航空工业应用中,温度传感器追求快速的时间常数以便更快响应系统设备的温度需要,而氧化镁粉以其优异的稳定性、高导热性和电绝缘性,成为温度传感器产品使用最为广泛的填充材料。但因氧化镁粉末之间存在着状态大小不一独立的或互相连通的孔隙,孔隙越大孔隙率越高,粉末间的热传导越差,进而影响传感器的时间常数。目前温度传感器选用的用于填充的氧化镁粉种类很多,但是由于粉末固有的特性结合温度传感器的结构特点,填充后的氧化镁具有较高的孔隙率,严重制约着传感器时间常数进一步提高,氧化镁粉的应用技术是航空传感器领域的一大难题,是航空传感器领域的一项关键技术。

我们提供的温度传感器专用氧化镁粉,其中的小颗粒氧化镁能够均匀吸附在大颗粒氧化镁周围,粉末间产生结合力后氧化镁粉间孔隙减小,填充至温度传感器后的粉末密实度将增加,孔隙率将减小,同时粉末间的接触面积也增大,因此填充后的镁粉导热系数也将增大,有利于改善温度传感器的时间常数性能。

混合氧化镁粉粉末间具有较强的吸附力,粉末与传感器填充部位元器件结合力高,粉末对传感器内部元器件的固定效果更好,因此在振动环境中能承受20g的振动量值、能承受在290℃到低温-40℃的温度冲击15000个循环。传感器的可靠性更高。

氧化镁粉的技术参数

特性T22SR3LA5A3335
物理性质
密度(g/cc)*2.39±0.22.39±0.022.39±0.022.38±0.022.45±0.02
流速(sec./100g)*175±15175±15175±15180=20180±20
静态流(g)*53±853±853±853±853±8
含磁量(ppm)*25±2525±2525±2525±2525±25
目数(%Retained)*
40(425um )0±0.10±0.10±0.10±0.10±0.1
60(250um)32±732±732±732±731±7
100(150um)27±627±627±627±625±6
200(75um)27±627±627±627±630±6
325(45um)9±39±39±39±39±3
-325(-45um)5±25±25±25±25±2
* 由ASTM的可行性决定
电阻at 40W/in2at 30W/in2
Megohms12±48±47±430±1515±10
Megohm-inches2340±7801560±5851365±5855880±29402940±1960
化学成分(%)
MgO**95±395±395±393±379±3
CaO**1.2±0.51.2±0.51.2±0.51.0±11.0±1
SiO2**3.5±13.5±13.5±13.0±26.0±2
Fe2O3**0.1±0.10.1±0.10.1±0.10.1±0.10.1±0.1
Al2O3**0.7±0.50.7±0.50.7±0.30.5±0.30.5±0.5
ZrO2**3.0±213±2
ppm Sulfur25±2525±2525±2525±2525±25
ppm Boron35±2535±2535±3535±2535±25
ppm Carbon50±5050±5050±5050±5050±50
**由X±射线荧光测定
LOI(wt.%)*0.01±0.010.01±0.010.01±0.010.015±0.010.015±0.01
Sinter Index(g)*25±2525± 2525± 2525±2525±25
*由ASTM的可行性决定
所有等级的氧化镁都可以根据要求涂硅。 LST可用于改善MgO的保质期;ST可用于低温加热元件中MgO的防潮保护。

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