在制作热电阻温度传感器时,一般需要用到填充材料,一方面,有助于温度的传递,另一方面可以提升传感器的绝缘性能,再次有助于提高温度传感器的抗震动,抗冲击的能力。一般地,填充材料一般都选择氧化镁,大小一般用70-150目,氧化镁耐温度可达熔点为2852,沸点3600。也可以采用石英砂,大约也是150目,石英砂耐温度可达熔点1713℃,一般PT100不会超1000度,所以温度是可以,但导热性更好。热电阻温度传感器一般都用氧化镁,石英粉也是可以的,但目数要选择大些的。石英的导热更快,所以温度反映更灵敏,膨胀系数更小,所以作出的热电阻温度传感器质量更好。
航空工业应用中,温度传感器追求快速的时间常数以便更快响应系统设备的温度需要,而氧化镁粉以其优异的稳定性、高导热性和电绝缘性,成为温度传感器产品使用最为广泛的填充材料。但因氧化镁粉末之间存在着状态大小不一独立的或互相连通的孔隙,孔隙越大孔隙率越高,粉末间的热传导越差,进而影响传感器的时间常数。目前温度传感器选用的用于填充的氧化镁粉种类很多,但是由于粉末固有的特性结合温度传感器的结构特点,填充后的氧化镁具有较高的孔隙率,严重制约着传感器时间常数进一步提高,氧化镁粉的应用技术是航空传感器领域的一大难题,是航空传感器领域的一项关键技术。
我们提供的温度传感器专用氧化镁粉,其中的小颗粒氧化镁能够均匀吸附在大颗粒氧化镁周围,粉末间产生结合力后氧化镁粉间孔隙减小,填充至温度传感器后的粉末密实度将增加,孔隙率将减小,同时粉末间的接触面积也增大,因此填充后的镁粉导热系数也将增大,有利于改善温度传感器的时间常数性能。
混合氧化镁粉粉末间具有较强的吸附力,粉末与传感器填充部位元器件结合力高,粉末对传感器内部元器件的固定效果更好,因此在振动环境中能承受20g的振动量值、能承受在290℃到低温-40℃的温度冲击15000个循环。传感器的可靠性更高。
特性 | T22SR | 3LA | 5A | 33 | 35 | |
物理性质 | ||||||
密度(g/cc)* | 2.39±0.2 | 2.39±0.02 | 2.39±0.02 | 2.38±0.02 | 2.45±0.02 | |
流速(sec./100g)* | 175±15 | 175±15 | 175±15 | 180=20 | 180±20 | |
静态流(g)* | 53±8 | 53±8 | 53±8 | 53±8 | 53±8 | |
含磁量(ppm)* | 25±25 | 25±25 | 25±25 | 25±25 | 25±25 | |
目数(%Retained)* | ||||||
40 | (425um ) | 0±0.1 | 0±0.1 | 0±0.1 | 0±0.1 | 0±0.1 |
60 | (250um) | 32±7 | 32±7 | 32±7 | 32±7 | 31±7 |
100 | (150um) | 27±6 | 27±6 | 27±6 | 27±6 | 25±6 |
200 | (75um) | 27±6 | 27±6 | 27±6 | 27±6 | 30±6 |
325 | (45um) | 9±3 | 9±3 | 9±3 | 9±3 | 9±3 |
-325 | (-45um) | 5±2 | 5±2 | 5±2 | 5±2 | 5±2 |
* 由ASTM的可行性决定 | ||||||
电阻 | at 40W/in2 | at 30W/in2 | ||||
Megohms | 12±4 | 8±4 | 7±4 | 30±15 | 15±10 | |
Megohm-inches | 2340±780 | 1560±585 | 1365±585 | 5880±2940 | 2940±1960 | |
化学成分(%) | ||||||
MgO** | 95±3 | 95±3 | 95±3 | 93±3 | 79±3 | |
CaO** | 1.2±0.5 | 1.2±0.5 | 1.2±0.5 | 1.0±1 | 1.0±1 | |
SiO2** | 3.5±1 | 3.5±1 | 3.5±1 | 3.0±2 | 6.0±2 | |
Fe2O3** | 0.1±0.1 | 0.1±0.1 | 0.1±0.1 | 0.1±0.1 | 0.1±0.1 | |
Al2O3** | 0.7±0.5 | 0.7±0.5 | 0.7±0.3 | 0.5±0.3 | 0.5±0.5 | |
ZrO2** | 3.0±2 | 13±2 | ||||
ppm Sulfur | 25±25 | 25±25 | 25±25 | 25±25 | 25±25 | |
ppm Boron | 35±25 | 35±25 | 35±35 | 35±25 | 35±25 | |
ppm Carbon | 50±50 | 50±50 | 50±50 | 50±50 | 50±50 | |
**由X±射线荧光测定 | ||||||
LOI(wt.%)* | 0.01±0.01 | 0.01±0.01 | 0.01±0.01 | 0.015±0.01 | 0.015±0.01 | |
Sinter Index(g)* | 25±25 | 25± 25 | 25± 25 | 25±25 | 25±25 | |
*由ASTM的可行性决定 | ||||||
所有等级的氧化镁都可以根据要求涂硅。 LST可用于改善MgO的保质期;ST可用于低温加热元件中MgO的防潮保护。 |